Постоянная миниатюризация полупроводниковых схем стала уже привычным явлением в электронной индустрии. Примерно каждые три-пять лет происходит переход на новые, более тонкие технологические нормы. В настоящее время полным ходом идет переход от 130-нанометровой к 90-нанометровой технологии. В авангарде внедрения новой технологии находятся производители мощных микропроцессоров и чипов памяти.
В то же время, практически все ведущие полупроводниковые компании работают над дальнейшей миниатюризацией своих изделий. В 2005 году ожидается начало внедрения 65-нанометрового технологического процесса, а ему на смену, скорее всего, придут технологии, позволяющие обеспечить размеры элементов схемы в 45-50 нм. Такие разработки, в частности, ведут компании Toshiba и Samsung.
В Toshiba уже разработали новую модификацию миниатюрного полевого транзистора MOSFET, что можно расшифровать как "полевой транзистор на базе металлооксидных полупроводниковых материалов". Использование этих транзисторов позволяет уменьшить утечку тока через затвор транзистора. Такие утечки могут приводить к ложным срабатываниям транзистора и являются одной из главных проблем при уменьшении размеров элементов интегральных схем. Новые транзисторы планируется использовать в схемах, изготавливаемых по 45-нанометровой технологии.
В свою очередь, компания Samsung показала на проходящем на Гавайях Симпозиуме по сверхбольшим интегральным схемам (2004 Symposium on VLSI Technology) собственную "трехмерную" технологию изготовления транзисторов, которую планирует применять при производстве микросхем с размером элементов в 50 нм.
